國(guó)金證券:半導(dǎo)體行業(yè)有望迎乘周期順風(fēng)車 國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊
智通財(cái)經(jīng)APP獲悉,國(guó)金證券發(fā)布研報(bào)稱,隨著下游需求逐漸復(fù)蘇,半導(dǎo)體行業(yè)有望迎乘周期順風(fēng)車,疊加國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊,發(fā)展自主可控之路正當(dāng)時(shí)。該行表示,持續(xù)看好英偉達(dá)&AI受益產(chǎn)業(yè)鏈;封測(cè)行業(yè)觸底持續(xù)進(jìn)行,底部反轉(zhuǎn)或?qū)⒌絹?lái);受益于自主可控疊加“量?jī)r(jià)雙增”,半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模有望快速擴(kuò)容;半導(dǎo)體量/檢測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代空間大,下游客戶重點(diǎn)加速導(dǎo)入;存儲(chǔ)器方面,現(xiàn)貨價(jià)已連續(xù)兩周不跌,原廠去庫(kù)有望加速,手機(jī)、PC邊際改善,終端庫(kù)存基本出清,下半年服務(wù)器需求或加速改善。
核心觀點(diǎn)如下
一、持續(xù)看好英偉達(dá)&AI受益產(chǎn)業(yè)鏈:
(相關(guān)資料圖)
AI發(fā)展提速電子半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展,海量數(shù)據(jù)的收集、清洗、計(jì)算、訓(xùn)練以及傳輸需求,催化AI產(chǎn)業(yè)鏈加速迭代升級(jí),帶動(dòng)服務(wù)器增長(zhǎng)與AI服務(wù)器占比提升,利好英偉達(dá)及服務(wù)器產(chǎn)業(yè)鏈大量使用的CPU,GPU,PCB,DDR5/HBM存儲(chǔ)器,服務(wù)器散熱,光芯片/光模塊等。
本周公布的英偉達(dá)Q2業(yè)績(jī)及Q3指引均大超預(yù)期。我們從產(chǎn)業(yè)鏈了解到,Ai服務(wù)器、800G光模塊、光芯片、DSP電芯片、HBM芯片需求旺盛,正在積極拉貨,有望帶動(dòng)三季度Ai重點(diǎn)受益公司業(yè)績(jī)超預(yù)期。
同時(shí)我們預(yù)測(cè)Ai投資機(jī)會(huì)有望從云端向邊緣側(cè)及智能終端側(cè)延伸,各種垂類應(yīng)用及端側(cè)Ai有望多點(diǎn)開(kāi)花,Ai手機(jī)、Ai電腦也有望陸續(xù)發(fā)布,中長(zhǎng)期來(lái)看,Ai有望給消費(fèi)電子賦能,帶來(lái)新的換機(jī)需求。
【重點(diǎn)看好】英偉達(dá)及重點(diǎn)受益產(chǎn)業(yè)鏈:英偉達(dá)/中際旭創(chuàng)/滬電股份/天孚通信/源杰科技/勝宏科技/立訊精密等。
二、先進(jìn)封裝:
摩爾定律發(fā)展放緩,先進(jìn)制程工藝逐漸逼近物理極限,進(jìn)一步縮小特征尺寸變得特別困難,眾多廠商開(kāi)始將研發(fā)方向由先前的“如何把芯片變得更小”轉(zhuǎn)變?yōu)椤叭绾伟研酒獾酶 ?。晶圓廠在刻蝕等前道步驟的硅通孔技術(shù)上積累豐富,因而在2.5D/3D封裝技術(shù)方面較為領(lǐng)先;而以日月光為代表的后道封裝廠商則更熟悉異質(zhì)異構(gòu)集成,在系統(tǒng)級(jí)封裝的發(fā)展方面更有優(yōu)勢(shì)。
先進(jìn)封裝應(yīng)用廣泛,是實(shí)現(xiàn)Chiplet設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。先進(jìn)封裝在高算力芯片上優(yōu)勢(shì)顯著,伴隨AI相關(guān)應(yīng)用的加速落地,對(duì)于算力芯片的需求快速提升,與之配套的先進(jìn)封裝需求快速增長(zhǎng)。
我國(guó)先進(jìn)封裝快速發(fā)展且潛力巨大,當(dāng)前國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝市場(chǎng)占比僅39%,與全球相比仍有較大差距。由于制裁不斷升級(jí),國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程發(fā)展受阻,Chiplet設(shè)計(jì)及先進(jìn)封裝制造有希望成為國(guó)產(chǎn)替代的突破口。
行業(yè)觸底持續(xù)進(jìn)行,底部反轉(zhuǎn)或?qū)⒌絹?lái)。封測(cè)廠營(yíng)收與半導(dǎo)體銷售額呈高度擬合關(guān)系,受下游需求側(cè)不景氣的影響,封測(cè)廠商稼動(dòng)率底部承壓。但是,我們判斷拐點(diǎn)或?qū)⒊霈F(xiàn),部分設(shè)計(jì)廠商目前已從“被動(dòng)補(bǔ)庫(kù)存”階段陸續(xù)進(jìn)入“主動(dòng)去庫(kù)存階段”,封測(cè)廠商稼動(dòng)率已有回暖跡象。展望未來(lái),芯片設(shè)計(jì)公司庫(kù)存壓力將有望隨下游需求邊際向好而繼續(xù)改善,待需求底部反轉(zhuǎn)后,由于封測(cè)公司在產(chǎn)業(yè)鏈中的位置相對(duì)靠后,封測(cè)公司有望率先收益。此外,由于封測(cè)行業(yè)重資產(chǎn)屬性強(qiáng),進(jìn)入上行周期后,有望表現(xiàn)更高的利潤(rùn)彈性。
【建議積極關(guān)注】先進(jìn)封裝占比高的標(biāo)的:長(zhǎng)電科技/通富微電/甬矽電子等;以及與之相關(guān)的產(chǎn)業(yè)鏈設(shè)備標(biāo)的:華海清科/新益昌等。
三、測(cè)試服務(wù)及測(cè)試設(shè)備:
半導(dǎo)體測(cè)試是半導(dǎo)體后道工藝的核心環(huán)節(jié),起到了保證芯片良率、降低芯片制造成本的重要作用。根據(jù)臺(tái)灣地區(qū)工研院的統(tǒng)計(jì),集成電路測(cè)試成本約占設(shè)計(jì)營(yíng)收的6%-8%,假設(shè)取中值7%,可測(cè)算出國(guó)內(nèi)2022年半導(dǎo)體測(cè)試服務(wù)市場(chǎng)約為374億元。
一方面,在自主可控的趨勢(shì)下,半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈正逐步向國(guó)內(nèi)進(jìn)行轉(zhuǎn)移。伴隨著制造產(chǎn)業(yè)鏈的轉(zhuǎn)移,半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)有望迎來(lái)快速發(fā)展。另一方面,我國(guó)高端芯片正處于崛起前夕,而芯片的高端化會(huì)對(duì)測(cè)試的需求量及測(cè)試的單位價(jià)格均產(chǎn)生向上的拉動(dòng)。自主可控疊加“量?jī)r(jià)雙增”,我國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模有望快速擴(kuò)容。
【建議積極關(guān)注】第三方測(cè)試公司:偉測(cè)科技/利揚(yáng)芯片;測(cè)試設(shè)備及核心耗材廠商:長(zhǎng)川科技/華興源創(chuàng)/和林微納等。
四、量/檢測(cè)設(shè)備:
量/檢測(cè)設(shè)備為半導(dǎo)體制造過(guò)程控制的重要組成部分,在生產(chǎn)中監(jiān)測(cè)、識(shí)別、定位、分析工藝缺陷,對(duì)晶圓廠及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題、改善工藝、提高良率起到至關(guān)重要的作用。
全球量/檢測(cè)設(shè)備有百億美元級(jí)市場(chǎng),其中美國(guó)公司的全球市占率超70%,在美國(guó)實(shí)施BIS禁令后,量/檢測(cè)設(shè)備是受影響最大的細(xì)分設(shè)備品類,國(guó)產(chǎn)化率亟待提升。
目前國(guó)產(chǎn)廠商的技術(shù)工藝覆蓋率以及所能應(yīng)用制程的先進(jìn)程度遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于海外龍頭廠商。而目前整體半導(dǎo)體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率約在15-20%,量/檢測(cè)設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率仍遠(yuǎn)低于其他設(shè)備品類,是僅次于光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)化率較低的設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域。
半導(dǎo)體量/檢測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代空間大,下游客戶重點(diǎn)加速導(dǎo)入,且現(xiàn)階段重點(diǎn)面向成熟制程,設(shè)備種類更眾多,在0-1的快速滲透中快速放量且有利于抵御半導(dǎo)體行業(yè)周期波動(dòng)的沖擊。
【建議積極關(guān)注】中科飛測(cè)/精測(cè)電子/北方華創(chuàng),同時(shí)建議關(guān)注賽騰股份/天準(zhǔn)科技。
五、存儲(chǔ)器:
存儲(chǔ)器為全球半導(dǎo)體第二細(xì)分市場(chǎng),歷史周期走勢(shì)與全球半導(dǎo)體走勢(shì)一致,但波動(dòng)性大于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)。當(dāng)前我們正走在2021年下半年以來(lái)的下行周期。
英偉達(dá)在業(yè)績(jī)發(fā)布時(shí)點(diǎn)明搭載HBM3e的第二代GH200將于24Q2出貨。SK海力士也宣布其開(kāi)發(fā)的HBM3e DRAM計(jì)劃明年上半年量產(chǎn),進(jìn)一步鞏固其在AI存儲(chǔ)領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位。
據(jù)CFM閃存市場(chǎng)分析,23Q2全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)5%至91.28億美元,DRAM市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)11.9%至106.75億美元。整體來(lái)看,二季度全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模198.03億美元,環(huán)比增長(zhǎng)9%,同比下跌54%。尤其在mobile收入增長(zhǎng)及DDR5、HBM等出貨擴(kuò)大的推動(dòng)下,SK海力士的NAND Flash和DRAM收入分別實(shí)現(xiàn)26.4%和48.9%的環(huán)比增長(zhǎng),為收入增速最快的原廠,其市場(chǎng)占比也進(jìn)一步得到提高。
另外,行業(yè)變好趨勢(shì)加快:1)價(jià)格端:顆粒大廠已明確向下游傳達(dá)漲價(jià)訊號(hào),現(xiàn)貨價(jià)已連續(xù)兩周不跌;2)供給端:顆粒原廠持續(xù)減產(chǎn)(預(yù)計(jì)今年整體減產(chǎn)30-40%)以及下游中間環(huán)節(jié)模組及代理廠商開(kāi)啟搶跑補(bǔ)庫(kù)有望加速原廠去庫(kù);3)需求端:手機(jī)、PC邊際改善,終端庫(kù)存基本出清,未來(lái)新品發(fā)布,容量升級(jí)均拉動(dòng)需求改善;4)服務(wù)器方面,算力GPU緊俏拉動(dòng)HBM需求,三大廠爭(zhēng)先布局HBM,疊加通用服務(wù)器CPU升級(jí)推動(dòng)DDR5滲透,預(yù)計(jì)下半年需求加速改善。
【建議關(guān)注】模組和代理商環(huán)節(jié)(博弈庫(kù)存邏輯):香農(nóng)芯創(chuàng)/朗科科技/深科技/德名利/江波龍;存儲(chǔ)芯片相關(guān)(博弈Q3基本面邊際改善預(yù)期):兆易創(chuàng)新/瀾起科技/東芯股份。
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