當前聚焦：X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達成許可協(xié)議，推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關系。作為新協(xié)議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術授權，將這一技術的性能優(yōu)勢帶給大批量市場的客戶群體。

(相關資料圖)

130納米SiGe BiCMOS平臺

新創(chuàng)建的130納米平臺顯著加強了X-FAB的技術組合，提供了獨特的解決方案，達到滿足下一代通信要求所需的更高性能參數(shù)。受益于這項技術的領域包括Wi-Fi 6（和未來的Wi-Fi 7）接入點，以及下一代蜂窩基礎設施（特別是5G 毫米波與新興6G標準）和車對車（V2V）通信；該技術還將在+100GHz雷達系統(tǒng)的開發(fā)中發(fā)揮關鍵作用，適用于汽車和消費類應用。

這項許可協(xié)議延續(xù)了2021年啟動的合作，當時X-FAB的銅后道工藝被添加至IHP的SG13S和SG13G2前端技術中，以提高可支持的帶寬數(shù)據(jù)。關于這一創(chuàng)新的SiGe平臺，X-FAB將于2022年第四季度開始與選定的早期合作廠商開展原型開發(fā)項目。早期準入的PDK可實現(xiàn)原型設計，而量產(chǎn)將在X-FAB法國位于巴黎附近的工廠進行。

IHP科學總監(jiān)Gerhard Kahmen教授表示：“將IHP的HBTs整合至X-FAB的RF平臺，將為客戶打造真正與眾不同的SiGe BiCMOS技術，這肯定會帶來切實的性能優(yōu)勢。我們雙方之間的技術轉讓，已成為工業(yè)與研究機構攜手取得卓越成果的完美范例?！?/p>

“X-FAB和IHP在融合我們各自優(yōu)勢資源開發(fā)前沿半導體解決方案領域擁有杰出的成績；雙方針對SiGe技術的最新協(xié)議將這一實踐帶入令人興奮的全新階段。”X-FAB RF技術總監(jiān)Greg U"Ren博士表示，“這是雙方進一步推進SiGe BiCMOS相關創(chuàng)新的起點，涵蓋了工業(yè)自動化、消費電子和車載等使用案例，將推動在未來幾年內對通信領域的重新定義?！?/p>

縮略語：

BiCMOS 雙極互補金屬氧化物半導體

HBT??????? 異質結雙極型晶體管

mmW?????????? 毫米波

PDK?????? 工藝設計套件

RF ??????? 射頻

SiGe????????????? 鍺硅

X-FAB是領先的模擬/混合信號和MEMS晶圓代工集團，生產(chǎn)用于汽車、工業(yè)、消費、醫(yī)療和其它應用的硅晶圓。X-FAB采用尺寸范圍從1.0μm至130nm的模塊化CMOS和SOI工藝，及其特色SiC與微機電系統(tǒng)（MEMS）長壽命工藝，為全球客戶打造最高的質量標準、卓越的制造工藝和創(chuàng)新的解決方案。X-FAB的模擬數(shù)字集成電路（混合信號IC）、傳感器MEMS在德國、法國、馬來西亞和美國的六家生產(chǎn)基地生產(chǎn)，并在全球擁有約4,000名員工。www.xfab.com

IHP作為萊布尼茨聯(lián)合研究所的一部分，是歐洲領先的硅基系統(tǒng)和超高頻電路與技術（包括新材料）研究中心。該研究所為無線和寬帶通信、安全、醫(yī)療技術、工業(yè)4.0、汽車工業(yè)及航空航天等應用領域開發(fā)創(chuàng)新的解決方案。IHP擁有先進的工藝基礎設施，包括1500平方米的DIN EN ISO 14644-1潔凈室，用于為毫米波、THz和光子學應用制造合格的硅基射頻技術與系統(tǒng)。通過內部設計套件的開發(fā)，技術模塊的擴展迅速達到可靠且適用的水平。其旗艦技術包括世界最快、穩(wěn)定和合格的130納米SiGe BiCMOS工藝線（采用下一代高性能SiGe HBT技術的SG13G2和最新SG13G3）。IHP擁有約360名員工。www.ihp-microelectronics.com

關鍵詞： 解決方案 基礎設施 許可協(xié)議 異質結雙極型晶體 生產(chǎn)基地