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全球快報(bào):東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第三代SiC MOSFET

該系列產(chǎn)品包含1200V650V兩種規(guī)格-

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻,可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品,已于今日開(kāi)始出貨。

新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(ON)A)下降了大約43%[3],從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大約80%[4],這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約20%[5],同時(shí)降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗。因此,新產(chǎn)品有助于提高設(shè)備效率。


(資料圖片僅供參考)

東芝將進(jìn)一步壯大其功率器件產(chǎn)品線,強(qiáng)化生產(chǎn)設(shè)施,并通過(guò)提供易于使用的高性能功率器件,努力實(shí)現(xiàn)碳中和經(jīng)濟(jì)。

應(yīng)用:

-??? 開(kāi)關(guān)電源(服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等)

-??? 電動(dòng)汽車(chē)充電站

-??? 光伏變頻器

-??? 不間斷電源(UPS)

特性:

-??? 單位面積導(dǎo)通電阻低(RDS(ON)A)

-??? 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)

-??? 低二極管正向電壓:VDSF=-1.35V(典型值)@VGS=-5V

主要規(guī)格:

(除非另有說(shuō)明,Ta=25℃)

器件型號(hào)

封裝

絕對(duì)最大額定值

電氣特性

庫(kù)存查詢(xún)與購(gòu)買(mǎi)

漏極-源極電壓

VDSS(V)

柵極-源極電壓

VGSS(V)

漏極電流

(DC)

ID(A)

漏極-源極導(dǎo)通電阻

RDS(ON)

典型值(mΩ)

柵極閾值電壓

Vth(V)

總柵極電荷

Qg

典型值(nC)

柵極-漏極電荷

Qgd

典型值(nC)

輸入電容

Ciss

典型值(pF)

二極管正向電壓

VDSF典型值

(V)

@Tc=25℃

@VGS=18V

@VDS=10V

@VDS=400V、

F=100kHz

@VGS=-5V

TW015N120C

TO-247

1200

-10至25

100

15

3.0至5.0

158

23

6000

-1.35

在線購(gòu)買(mǎi)

TW030N120C

60

30

82

13

2925

在線購(gòu)買(mǎi)

TW045N120C

40

45

57

8.9

1969

在線購(gòu)買(mǎi)

TW060N120C

36

60

46

7.8

1530

在線購(gòu)買(mǎi)

TW140N120C

20

140

24

4.2

691

在線購(gòu)買(mǎi)

TW015N65C

650

100

15

128

19

4850

在線購(gòu)買(mǎi)

TW027N65C

58

27

65

10

2288

在線購(gòu)買(mǎi)

TW048N65C

40

48

41

6.2

1362

在線購(gòu)買(mǎi)

TW083N65C

30

83

28

3.9

873

在線購(gòu)買(mǎi)

TW107N65C

20

107

21

2.3

600

在線購(gòu)買(mǎi)

注:

[1] 通過(guò)采用為第二代SiC MOSFET開(kāi)發(fā)的內(nèi)置肖特基勢(shì)壘二極管的架構(gòu),東芝開(kāi)發(fā)出一種可降低單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(ON)A),同時(shí)降低JFET區(qū)域反饋電容的器件架構(gòu)。

[2] MOSFET:金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

[3] 當(dāng)?shù)诙鶶iC MOSFET的RDS(ON)A被設(shè)為1時(shí),與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。

[4] 當(dāng)?shù)诙鶶iC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設(shè)為1時(shí),與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。

[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。

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1200V產(chǎn)品

TW015N120C

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TW030N120C

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TW045N120C

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TW060N120C

https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW060N120C

TW140N120C

https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW140N120C

650V產(chǎn)品

TW015N65C

https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW015N65C

TW027N65C

https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW027N65C

TW048N65C

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TW083N65C

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TW107N65C

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SiC功率器件

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SiCMOSFET

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfets.html

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1200V產(chǎn)品

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TW030N120C

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650V產(chǎn)品

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TW048N65C

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TW083N65C

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TW107N65C

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*本文提及的公司名稱(chēng)、產(chǎn)品名稱(chēng)和服務(wù)名稱(chēng)可能是其各自公司的商標(biāo)。

*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。

關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,公司累積了半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新,為客戶(hù)和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。

公司23,100名員工遍布世界各地,致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶(hù)的密切協(xié)作,旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng),共同開(kāi)拓新市場(chǎng),公司現(xiàn)已擁有超過(guò)7,110億日元(62億美元)的年銷(xiāo)售額,期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來(lái)并做出貢獻(xiàn)。

如需了解有關(guān)東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社的更多信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)以下網(wǎng)址:https://toshiba-semicon-storage.com

關(guān)鍵詞: 電子元件 株式會(huì)社 存儲(chǔ)裝置 開(kāi)關(guān)損耗 單位面積

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